张大成

教育经历

1984年北京工业大学半导体器件专业学士，2000年和2005年分别在太阳成集团获微电子学与固体电子学硕士和博士学位。

主要研究领域

微纳加工工艺及工艺质量评估方法、MEMS传感器芯片、工艺相关微纳结构力学特性表征方法

主要科研项目

1996年至今，承担NSFC、973课题、863、电子预研、重大专项课题、重大科技计划等国家级科技计划中与MEMS工艺相关的项目，累计经费超过3000万元。

主要获奖成果

“硅基MEMS工艺技术及应用研究”获2003北京市科技进步一等奖，2006年国家技术发明二等奖；IEC（国际电工委员会）微机电领域第一个中国提案标准的负责人，获2017年IEC 1906奖（IEC标准杰出贡献奖，当年有16个中国人获奖）

主要学术任职

微纳电子学研究院常务副经理、国家微机电标委会副主任委员、IEC 47F（微机电标委会）工作组专家、微电子学科发展委员会成员