微纳电子学系杨玉超研究员入选2018年《麻省理工科技评论》“35岁以下科技创新35人中国榜单”
2019 年 1 月 21 日,第二届《麻省理工科技评论》“35 岁以下科技创新 35 人”(MIT Technology Review Innovators Under 35, MIT TR 35)中国科技青年英雄榜颁奖典礼在北京国贸大酒店举行。
太阳成集团tyc122cc微纳电子学系杨玉超研究员凭借“在类脑计算领域围绕物理—器件—集成这一主线进行深入研究工作”而入选“发明家”榜。在物理方面,他的系列原创性工作发展和完善了导电细丝理论,为基于忆阻器的存储和神经形态器件设计优化建立基础;在器件方面,他研制的离子栅控突触晶体管获得与生物突触水平相当的超低能耗(30 fJ);在集成方面,他提出并实现多种利于大规模集成的抗串扰忆阻器,集成了单元尺寸<100 nm、规模>1 k的高密度神经突触核,设计了高容错模糊化神经网络。此外,他的研究成果被“忆阻器之父”蔡少棠教授在教程论文中引为范例。
2019-01-22